瑞波新一代638nm芯片实现了两大技术创新：

• 材料和工艺的优化：通过改善AlGaInP/GaInP材料能带结构的固有缺陷，结合优化的芯片工艺和封装工艺，大幅提升光电转换效率。其中商业化638nm 0.5W TO-56(条宽20μm)在T=25℃工作功率 @0.7A达到0.71W，光电转换效率达到44.6%，刷新行业记录。

  
  

• 量子阱混杂技术突破：开发出工艺可靠的量子阱混杂技术，实现高可靠性无吸收腔面的低成本制作，从根本上解决红光LD芯片可靠性差的行业难题。该技术使芯片在高温环境下仍保持出色稳定性， 寿命超过2万小时 ，满足工业级应用需求。

  
  

瑞波光电承担了科技部2016-2018年重点研发计划里与红光显示光源相关的全部6个课题，并担任2017年国家“高光束质量、低阈值、长寿命、低成本红光LD材料与器件关键技术与工程化研究”重点研发计划的总牵头单位。本次发布的产品均源于上述科技部重点专项研究成果的进一步发展。

638nm高功率激光芯片和器件，长期以来一直被日本公司垄断，其产品具备高功率、高效率和高温特性好的优势，国内多家单位一直致力于国产化突破。通过不懈的努力，瑞波新一代638nm激光器件在在关键性能参数上提升显著：

• 高功率和高光电转换效率：638nm 0.5W TO-56（条宽20μm）在25℃下工作功率@0.7A达到0.71W，光电转换效率高达44.6%，超越日本友商1，刷新行业记录；638nm 0.7W TO-56（条宽40μm）在25℃下工作功率@0.9A达到0.86W，光电转换效率高达42.0%，赶上市占率最高的日本友商2和3；638nm 2.1W芯片（条宽75μm*2）COS在T=25℃下工作功率@2.7A可达2.4W，光电转换效率达到42.0%，接近世界一流水平[1]（图3）。

  
  

• 高温特性大幅提升：638nm 0.5W TO-56在40°C下光电转换效率@0.7A仍能达到37.9%，相比日本友商1提升10% （图1）；638nm 0.7W TO-56在40°C下光电转换效率@0.7A可达34.7%，赶超日本友商2和3（图2）；采用638nm 2.1W芯片封装的COS在高温45℃、连续电流2.7A下，功率达到1.6W，光电转换效率达到28.5%，接近世界一流水平，此款芯片仍在快速迭代改善中。

  
  

图1： 638nm 0.5W TO-56与进口友商1在T=40℃、CW下PIV对比数据

图2：638nm 0.7W TO-56与进口友商2和3在T=40℃、CW下PIV对比数据

图3 瑞波638nm 2.1W COS在不同温度下的P-I和WPE-I曲线

瑞波新一代638nm芯片在特性参数上的突破，并以一以贯之的高可靠性保证，可为多个行业提供性能优秀、性价比高的国产芯片和器件：

• 激光显示领域：作为RGB三基色光源的核心组件，该系列芯片将大幅降低激光投影整机的成本。

  
  

• 医疗美容领域：与瑞波已量产的10W 755nm、5.5W 1470nm、4W 1725nm及2.5W 2010nm器件形成完整解决方案，满足从皮肤治疗到手术等全系列医疗应用需求。

  
  

• 工业与传感领域：高功率红光芯片结合瑞波TO封装平台，可为激光加工、3D传感和测距设备提供核心光源。

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