度亘核芯发布 1310nm 70mW DFB激光芯片

在数字经济加速渗透的当下,算力与光互联的协同演进成为产业升级的核心驱动力,而光模块的性能突破,始终依赖于核心光源芯片的技术迭代。


度亘核芯依托全流程自主可控的FAB工艺平台,成功推出全国产化新一代1310nm单模DFB(分布式反馈)激光芯片及其COS封装产品,从芯片设计、外延生长、工艺制备到规模化量产实现全流程自主可控,其核心优势包括:非制冷70mW高功率、高效率输出、单纵模高稳定性激光,为数据中心互连、光子计算等关键场景提供 “国产替代、性能领先” 的光源解决方案,助力中国光通信产业链向上突破。

1310nm 波段作为光纤通信 O 波段的“黄金窗口”,兼具低传输损耗、近零色散特性,是中短距离高速数据传输的最优选择之一。随着数据中心向400G/800G甚至1.6T速率演进,光模块对光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄线宽、高稳定”的严苛要求——既要支撑高密度算力实时交互,又要适配数据中心低能耗部署需求。

度亘核芯1310nm DFB激光芯片精准锚定这一需求,凭借其高稳定、单纵模特性(边模抑制比≥40dB),完美匹配硅光模块对光源的高兼容性要求,成为高端光模块的“核心心脏”,为光互联网络的稳定高速运转注入“中国动力”。


度亘核芯1310nm CW DFB 70mW产品是一款专为硅光光源、数据中心等应用设计的高功率半导体激光芯片,可在25~75℃温度范围内达到70mW的出光功率,采用掩埋异质结(BH)结构,具有低阈值、对称远场发散角、高电光转换效率、高耦合效率的优势。在功率、效率、稳定性等维度实现全面突破:


宽温输出功率:在25~75℃的整个工作温度范围内,芯片均可稳定输出70mW的高功率;

低阈值电流:在25℃,阈值电流低至10mA, 芯片待机功耗降低 30%,延长使用寿命;

高电光转换效率:电光转换效率(室温下达36%)与斜率效率(25℃时0.48W/A)均达到行业领先水平,显著降低模块待机功耗与散热压力,适配数据中心高密度部署需求;

对称远场发散角:远场发散角对称分布,与光纤、透镜耦合效率提升,简化光模块光学设计。


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1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲线


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  1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光谱曲线


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1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光谱曲线



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