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九峰山实验室6英寸磷化铟PIN探测器外延片 作为光通信、量子计算等领域的核心材料，磷化铟（InP）材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。 九峰山实验室依托国产MOCVD设备与InP衬底技术，突破大尺寸外延均匀性控制难题，首次开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺， 关键性能指标达到国际领先水平，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。 材料性能： • FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差<1.5nm，组分与厚度均匀性<1.5% • PIN探测器材料本底浓度<4×10¹⁴cm⁻³，迁移率>11000 cm²/V·s 九峰山实验室外延工艺团队 在全球光电子产业高速发展的背景下，光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域对磷化铟（InP）的需求呈现爆发式增长。据Yole预测，磷化铟（InP）光电子市场规模2027年将达56亿美元，年复合增长率（CAGR）达14%。6英寸磷化铟（InP）工艺的突破，有望推动国产光芯片成本降至3英寸工艺的60%-70%，有助于增强国产光芯片市场竞争力。
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